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厂商型号

NDS8435A_Q 

产品描述

MOSFET Single P-Ch FET Enhancement Mode

内部编号

3-NDS8435A-Q

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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NDS8435A_Q产品详细规格

规格书 NDS8435A_Q datasheet 规格书
Status Obsolete
产品种类 MOSFET
RoHS No
晶体管极性 P-Channel
漏源击穿电压 - 30 V
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 - 7.9 A
抗漏源极RDS ( ON) 0.02 Ohms
配置 Single Quad Drain Triple Source
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOIC-8 Narrow
封装 Reel
下降时间 46 ns
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 2.5 W
上升时间 20 ns
典型关闭延迟时间 95 ns
寿命 Obsolete

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